Ag纳米颗粒对富Ag二氧化硅薄膜电致发光谱的影响

摘要：利用磁控溅射和热退火在硅衬底上制备了Ag纳米颗粒镶嵌的氧化硅薄膜(SiO2∶ Ag),制作了电致发光结构ITO/SiO2∶Ag/p-Si,观测到了可见区的电致发光.发现薄膜中的Ag纳米颗粒不仅成倍地提高器件的`发光强度,还明显地移动电致发光的峰位.Ag含量越高,颗粒越大,发光峰位越红移.氧化硅中的发光中心与纳米Ag间的电磁相互作用,可用来定性解释这一实验结果.这种效应可把低效发光的材料转换为相对高效的发光材料. 作者： 冉广照文杰尤力平徐万劲 Author： RAN Guang-zhao  WEN Jie  YOU Li-ping  XU Wan-jin 作者单位： 人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京大学物理学院,北京100871 期 刊： 光谱学与光谱分析   ISTICEISCIPKU Journal： Spectroscopy and Spectral Analysis 年，卷(期)： 2011, 31(9) 分类号： O482.3 关键词： 电致发光    Ag纳米颗粒    局域表面等离激元    机标分类号： O43 TN2 机标关键词： 纳米颗粒    二氧化硅薄膜    电致发光谱    电磁相互作用    实验结果    发光中心    发光强度    发光结构    发光峰位    发光材料    定性解释    磁控溅射    SiO2    热退火    硅衬底    转换    制作    制备    移动    效应 基金项目： 国家自然科学基金，国家(973计划)项目

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