AlGaN/GaN异质结构中的极化工程

从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发,研究了AlGaN/GaN量子阱电子气密度随Al组份比、势垒层厚度和栅压的变化,比较了能带带阶和极化电荷对沟道阱能带和电子气特性的影响,研究了在势垒层和缓冲层中夹入AlN及InGaN薄层的作用,计算了AlGaN/GaN/AlGaN双异质结的能带,最后探讨了势垒层能带的优化设计,提出了剪裁势垒层能带来钝化表面的新方法.

作 者： 薛舫时 XUE Fangshi   作者单位： 单片集成电路与模块国家级重点实验室,南京电子器件研究所,南京,210016  刊 名： 固体电子学研究与进展  ISTIC PKU 英文刊名： RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS  年，卷(期)： 2008 28(3)  分类号： O484  关键词： 铝镓氮、氮化镓异质结   极化掺杂   能带剪裁   表面钝化新方案  

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