ZnO薄膜制备及其发光特性研究

上海龙凤1314 shlf用射频磁控反应溅射法分别在未加热和加热的石英玻璃衬底上制备ZnO薄膜,在不同温度下进行退火处理,研究衬底温度、退火条件对其结构和发光性能的影响.通过对样品的X射线衍射(XRD)、吸收光谱和光致发光(PL)光谱的测量结果表明,衬底温度为230 ℃、退火温度为400 ℃时样品结晶性能最佳,并具有最强的紫外光发射(380 nm).

作 者： 王晶 张希清 梅增霞 黄世华 徐征   作者单位： 北方交通大学光电子技术研究所,信息存储、显示与材料开放实验室,北京,100044  刊 名： 光电子·激光  ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF OPTOELECTRONICS·LASER  年，卷(期)： 2002 13(11)  分类号： O484  关键词： ZnO薄膜   磁控溅射   光致发光(PL)  

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