上海龙凤1314 shlf硅基氮化铝薄膜的AFM和XPS分析
在Si(111)基底上利用直流磁控溅射系统沉积氮化铝(AlN)薄膜,X-射线衍射分析薄膜结构和取向,原子力显微镜分析薄膜表面形貌,X-射线光电子能谱分析薄膜的元素化学价态和组分.结果表明,生长的AlN薄膜具有良好的(100)择优取向,其半峰宽为0.3°.薄膜表面粗糙度为0.23 nm,表面均方根粗糙度为0.30 nm,z轴方向最高突起约3.25 nm.薄膜表面组分为Al、N、O、C元素,其中C、O主要以物理吸附方式存在于薄膜表面,而Al、N元素的存在方式主要是Al-N化合物,深度剥蚀分析表明获得的AlN薄膜接近其化学计量比.
作 者： 刘文 王质武 杨清斗 卫静婷 LIU Wen WANG Zhi-wu YANG Qing-dou WEI Jing-ting 作者单位： 深圳大学,光电子学研究所,广东省光电子器件与系统重点实验室,光电子器件与系统教育部重点实验室,广东,深圳,518060 刊 名： 压电与声光 ISTIC PKU 英文刊名： PIEZOELECTRICS & ACOUSTOOPTICS 年，卷(期)： 2007 29(6) 分类号： O484 关键词： 氮化铝 直流磁控溅射 原子力显微镜 X-射线光电子能谱 化学计量比