退火对AlGaInP/GaInP多量子阱 LED外延片性能的影响

采用LP-MOCVD技术在n-GaAs衬底上生长了AlGaInP/GaInP多量子阱红光LED外延片.研究表明退火对外延片性能有重要影响.与未退火样品相比,460℃退火15 min,外延片p型GaP层的空穴浓度由5.6×1018cm-3增大到6.5×1018cm-3,p型AlGaInP层的空穴浓度由6.0×1017cm-3增大到1.1×1018cm-3.但退火温度为780℃时,p型GaP层和p型AlGaInP层的空穴浓度分别下降至8×1017cm-3和1.7×1017cm-3,且Mg原子在AlGaInP系材料中的扩散加剧,导致未掺杂AlGaInP/GaInP多量子阱呈现p型电导.在460～700℃退火范围内,并没有使AlGaInP/GaInP多量子阱的发光性能发生明显变化.但退火温度为780℃时,AlCaInP/GaInP多量子阱的发光强度是退火前的2倍.

作 者： 李述体 范广涵 周天明 孙慧卿 王浩 郑树文 郭志友   作者单位： 华南师范大学,光电子材料与技术研究所,广东,广州,510631  刊 名： 发光学报  ISTIC PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE  年，卷(期)： 2004 25(5)  分类号： O472.3 O482.31  关键词： AlGaInP   AlGaInP/GaInP多量子阱   金属有机化学气相沉积   电化学电容电压分析   光致发光  

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